应用于半导体和微电子制程工艺的GORE^®臭氧化模组

业界传统上使用化学混合物进行硅片清洗和半导体清洗。然而，臭氧水处理方案更环保，可以减少废物处理，降低成本，正越来越多地获得采纳。

制造商希望在室温下使用清洗液，安全节能地去除有机物和进行表面处理。他们还希望减少使用非环保且废物处理成本高的传统化学品。以SPM（硫酸混合物）工艺为例，这种工艺使用双氧水和热硫酸的混合物，但硫酸是一种腐蚀性和有害的化学品，会增加废物处理成本。

制造商还需要更洁净，且臭氧溶解浓度高于目前水平的臭氧水，以帮助提高产量。洁净的臭氧水可确保去除硅晶圆和平板显示器上的有机污物。

自20世纪80年代以来，GORE臭氧化模组已成功应用于臭氧水晶圆清洗工具，用于清洗硅晶圆和半导体。该臭氧化模组使用去离子臭氧水，比常用的刺激性化学品和需经过多个半导体清洗工艺步骤的方法更安全、更有效。

例如，湿法清洗和光刻胶去除方法在制备硅晶圆过程中使用化学品进行清洗，随后采用硫酸混合湿法清洗工艺，然而这个流程同样使用化学品去除残留的有机污物。

久经验证，生成的臭氧水具有持续稳定的浓度和流速

戈尔的模组可以生成目前市场上更洁净、无气泡的臭氧化超纯水，比机械混合技术（如喷射器或静态混合器）生成的臭氧水更洁净。

这些模组还可以实现更高的溶解臭氧浓度，高达200 mg/L。它们持续稳定地将臭氧气体溶解到超高纯水中，生成更洁净、无气泡的臭氧水。我们的臭氧模组具有微孔结构的含氟聚合物膜，能承受超过0.40 MPa的高进水压(WEP)。

经长期应用验证，戈尔臭氧化模组生成的臭氧水具有持续稳定的浓度和流量，是清洗硅晶圆和平板显示器臭氧水系统的理想解决方案。

将GORE臭氧化模组与机械混合技术进行比较，可以更好地了解我们产品的优势。如需了解关于我们模组特性和性能的更多信息，请即联系我们。

GORE臭氧化模组是具成本效益的解决方案，适用于微电子行业中先进的半导体制程工艺中的臭氧水制备和臭氧清洗工艺，如：

• 硅晶圆清洗和生产
• 逻辑芯片和存储芯片制造
• LED/OLED/QOLED (LTPS)平板显示器清洗和制造
• 光掩膜

如果您有任何疑问或具体应用需求，请即联系我们。

GORE臭氧化模组具有多种特点和优点，可帮助半导体臭氧水清洗设备制造商提高臭氧水的制备性能，如：

• 无气泡的超高纯度臭氧水，最高浓度可达200mg /L
• 由于独特的含氟聚合物结构，生成更高洁净度的臭氧水
• 采用ePTFE膜管，实现无颗粒污染
• 采用微孔膜技术，允许高进水压> 0.40 MPa
• 经过长期应用验证，确保性能连续性和一致性
• 臭氧水的浓度和流量易于控制

如需了解有关戈尔臭氧化模组的特点和优点的更多信息，请即联系我们。

这些数值说明了GORE臭氧化模组应用在半导体和微电子制造工艺的特性。

戈尔的模组采用独特的微孔膜技术，能够生成比业内纯度更高且无气泡的臭氧水。产品性能久经验证，是改进半导体晶圆和平板显示器制造清洗工艺，更环保的可靠解决方案。如需订购和了解戈尔臭氧化模组的详细技术信息，请即联系我们。